반도체의 기초1 전자이동현상(Electromigration, EM) 1. 전자이동현상이란?전자이동현상은 금속 배선에 고밀도 전류가 흐를 때 전자의 운동량이 금속 원자에 전달되어 원자들이 물리적으로 이동하는 현상주로 반도체 배선 재료인 구리(Cu)와 알루미늄(Al)에서 발생하며, 미세화된 배선 구조에서 EM은 문제를 야기함2. 전자이동현상의 원인 1. 전자의 충돌 (Electron Wind Force)금속 배선에 전류가 흐르면 전도 전자들이 금속 원자와 충돌하며 운동량을 전달이 힘이 누적되면 금속 원자들이 전자의 흐름 방향으로 이동2. 온도 상승고전류가 흐를수록 저항성 발열(Joule Heating)로 배선의 온도 상승온도가 높아지면 금속 원자들이 더 쉽게 이동할 수 있어 전자이동현상이 가속화3. 고밀도 전류전류 밀도(Current Density)가 높을수록 전자의 충돌이.. 2024. 12. 18. 이전 1 다음
