반도체 장비와 재료공학1 열팽창 계수와 반도체 장비 1. 열팽창 계수열팽창 계수(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)란 온도 변화에 따라 재료가 팽창하거나 수축하는 정도를 나타내는 값으로 단위 길이당 온도 변화에 따른 길이 변화의 비율로 정의반도체 장비 설계에서는 열팽창 계수를 철저히 고려하여 공정 안정성을 확보, 장비 성능 저하를 방지 단위: 1/°C 또는 1/K예: 실리콘 웨이퍼의 열팽창 계수는 약 2.6×10^−6/°C 2. 공정 특성반도체 공정에서는 극한의 온도 변화를 겪음 (예: 증착(Deposition) 공정에서 웨이퍼 표면은 400°C 이상의 고온 환경에서 처리된 후 급격히 냉각)웨이퍼의 열팽창 계수는 약 2.6 × 10⁻⁶/°C로 비교적 낮음 -> 그러나 장비 내부에서 사용되는 금속(예: 알루미늄)이나 세.. 2024. 12. 13. 이전 1 다음
