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Deposition Equipment 보호되어 있는 글입니다. 공감수 0 댓글수 0 2025. 1. 17.
Etching Equipment 반도체 공정에서 에칭(Etching)은 패턴이 형성된 포토레지스트(PR) 또는 하드 마스크를 이용해 특정 부분의 재료를 제거하는 공정이다. 에칭은 습식(Wet Etching)과 건식(Dry Etching)으로 나뉘며, 미세 공정에서는 주로 건식 플라즈마 에칭이 사용된다. 1. 건식 에칭(Dry Etching) 장비 - 대표 장비: Applied Materials Centris®, LAM Research Kiyo®, TEL Tactras® - 특징: 플라즈마(Plasma) 반응을 이용한 식각 공정을 수행, 미세 패턴을 구현하기 위해 이방성(Anisotropic) 식각 가능, 반응 가스를 활용해 선택적인 식각(Selective Etching) 수행 - 사용 용도: 로직 반도체(CMOS), 메모리 반도체(.. 공감수 0 댓글수 0 2025. 1. 9.
Photo lithography process equipment 장비종류1.Exposure equipment 1) DUV (Deep Ultraviolet) Lithography Systems - 대표 장비: TWINSCAN NXT 시리즈 (NXT:2000i, NXT:2050i 등) - 특징: 파장: 193nm(ArF)의 DUV 광원을 사용하며, 액침 노광(Immersion Lithography) 기술을 적용해 해상도를 극대화할 수 있음. - 사용 용도: 주로 7nm 이상 노드에서 사용되며, 고해상도 패턴을 인쇄할 수 있음. 웨이퍼와 렌즈 사이에 물을 이용해 빛의 파장을 더욱 짧게 만들어 더 세밀한 패턴을 인쇄하는 기술을 포함함. - 장점: 비교적 성숙한 기술로 높은 안정성과 빠른 스캐닝 속도를 제공하여, 고성능 반도체를 대량 생산할 때 사용됨. - 기술적 특징.. 공감수 0 댓글수 0 2024. 12. 27.
Overlay 보호되어 있는 글입니다. 공감수 0 댓글수 0 2024. 12. 20.
열팽창 계수와 반도체 장비 1. 열팽창 계수열팽창 계수(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)란 온도 변화에 따라 재료가 팽창하거나 수축하는 정도를 나타내는 값으로 단위 길이당 온도 변화에 따른 길이 변화의 비율로 정의반도체 장비 설계에서는 열팽창 계수를 철저히 고려하여 공정 안정성을 확보, 장비 성능 저하를 방지 단위: 1/°C 또는 1/K예: 실리콘 웨이퍼의 열팽창 계수는 약 2.6×10^−6/°C 2. 공정 특성반도체 공정에서는 극한의 온도 변화를 겪음 (예: 증착(Deposition) 공정에서 웨이퍼 표면은 400°C 이상의 고온 환경에서 처리된 후 급격히 냉각)웨이퍼의 열팽창 계수는 약 2.6 × 10⁻⁶/°C로 비교적 낮음 -> 그러나 장비 내부에서 사용되는 금속(예: 알루미늄)이나 세.. 공감수 0 댓글수 0 2024. 12. 13.

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